| 型号：TPS1101DG4 | 类别：FET - 单 | 制造商：Texas Instruments |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
| 系列 | - |
| 制造商 | Texas Instruments |
| FET型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 15V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 2.3A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 90 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 11.25nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | - |
| 功率_最大 | 791mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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